![Гидратация и зависящая от нее сила фонон-фононного взаимодействия (Ефф =£(Ус,е!!), где Ус(е!!) - объем (диэлектрическая проницаемость материала кластера)) резко промотируется при увеличении диэлектрической проницаемости (е!!), имеющем место вблизи точек фазовых переходов различного рода, увеличении заряда поверхности частицы, а также при уменьшении прочности поверхностной пленки (отделяющей сольватную и свободную воду) в результате адсорбции поверхностно-активных (ПАВ) веществ. Электромагнитные и магнитные поля также изменяют параметры сольватации, приводя к увеличению 2с1-слоев. Магнитная активация промотируется как прыжковой проводимостью зарядов, так и переходами, связанными с изменением спина в молекуле воды [34].](/static/pngsmall/830285244.png)
Гидратация и зависящая от нее сила фонон-фононного взаимодействия (Ефф =£(Ус,е!!), где Ус(е!!) - объем (диэлектрическая проницаемость материала кластера)) резко промотируется при увеличении диэлектрической проницаемости (е!!), имеющем место вблизи точек фазовых переходов различного рода, увеличении заряда поверхности частицы, а также при уменьшении прочности поверхностной пленки (отделяющей сольватную и свободную воду) в результате адсорбции поверхностно-активных (ПАВ) веществ. Электромагнитные и магнитные поля также изменяют параметры сольватации, приводя к увеличению 2с1-слоев. Магнитная активация промотируется как прыжковой проводимостью зарядов, так и переходами, связанными с изменением спина в молекуле воды [34].
Скачать страницу
[Выходные данные]