Поиск по сайту:


Изготавливают 4-электродный датчик с постоянными разносами .между электродами 3—5 см. Смонтированные на твердой и прочной пластине из изолятора электроды вдавливают в стенку разреза в намеченных точках (вдоль линии по стенке и в глубь разреза или траншеи). Измеренные величины р наносят на планшет разреза и проводят изоомы. Как видно на рисунке 121, в верхнем слое почвы во всех точках, через которые проходила почвенная траншея, р> 110 Ом-м, что соответствует выщелоченной части профиля всех компонентов почвенного комплекса. Плотный остаток водной вытяжки при р> >110 Ом-м составляет менее 0,10 % от массы. Во втором слое р = (110—60) Ом-м — плотный остаток водной вытяжки увеличивается и при минимальной величине р< 10 Ом-м — засоление максимальное. Таким образом, по величине р четко выделяются отдельные компоненты почвенного комплекса.

Изготавливают 4-электродный датчик с постоянными разносами .между электродами 3—5 см. Смонтированные на твердой и прочной пластине из изолятора электроды вдавливают в стенку разреза в намеченных точках (вдоль линии по стенке и в глубь разреза или траншеи). Измеренные величины р наносят на планшет разреза и проводят изоомы. Как видно на рисунке 121, в верхнем слое почвы во всех точках, через которые проходила почвенная траншея, р> 110 Ом-м, что соответствует выщелоченной части профиля всех компонентов почвенного комплекса. Плотный остаток водной вытяжки при р> >110 Ом-м составляет менее 0,10 % от массы. Во втором слое р = (110—60) Ом-м — плотный остаток водной вытяжки увеличивается и при минимальной величине р< 10 Ом-м — засоление максимальное. Таким образом, по величине р четко выделяются отдельные компоненты почвенного комплекса.

Скачать страницу

[Выходные данные]