![Особенно интенсивная подсушка поверхностного слоя происходит около основания канала частичной дуги вследствие повышенной плотности тока в этой точке и теплового действия канала разряда, температура которого составляет около 3000° С [21]. Продвижение опорной точки к электроду и нагрев поверхностного слоя вызывают уменьшение сопротивления изолятора и некоторое увеличение тока в дуге. В результате увеличивается энергия, выделяемая в дуге, ее температура повышается, и создаются более благоприятные условия для развития ионизационных процессов. Это, в свою очередь, приводит к уменьшению сопротивления дуги и соответственно к уменьшению падения напряжения на дуге. Одновременно с ростом температуры дуги увеличивается теплоотдача в окружающую среду. Таким образом, продвижение дуги к • противоположному электроду связано с изменением ее энергетического баланса. Возможность дальнейшего существования и продвижения или погасания дуги будет определяться теперь энергетическими процессами в системе «частичная дуга — проводящий слой», но уже при параметрах этой системы, отличных от первоначальных.](/static/pngsmall/539544958.png)
Особенно интенсивная подсушка поверхностного слоя происходит около основания канала частичной дуги вследствие повышенной плотности тока в этой точке и теплового действия канала разряда, температура которого составляет около 3000° С [21]. Продвижение опорной точки к электроду и нагрев поверхностного слоя вызывают уменьшение сопротивления изолятора и некоторое увеличение тока в дуге. В результате увеличивается энергия, выделяемая в дуге, ее температура повышается, и создаются более благоприятные условия для развития ионизационных процессов. Это, в свою очередь, приводит к уменьшению сопротивления дуги и соответственно к уменьшению падения напряжения на дуге. Одновременно с ростом температуры дуги увеличивается теплоотдача в окружающую среду. Таким образом, продвижение дуги к • противоположному электроду связано с изменением ее энергетического баланса. Возможность дальнейшего существования и продвижения или погасания дуги будет определяться теперь энергетическими процессами в системе «частичная дуга — проводящий слой», но уже при параметрах этой системы, отличных от первоначальных.
Скачать страницу
[Выходные данные]
![Особенно интенсивная подсушка поверхностного слоя происходит около основания канала частичной дуги вследствие повышенной плотности тока в этой точке и теплового действия канала разряда, температура которого составляет около 3000° С [21]. Продвижение опорной точки к электроду и нагрев поверхностного слоя вызывают уменьшение сопротивления изолятора и некоторое увеличение тока в дуге. В результате увеличивается энергия, выделяемая в дуге, ее температура повышается, и создаются более благоприятные условия для развития ионизационных процессов. Это, в свою очередь, приводит к уменьшению сопротивления дуги и соответственно к уменьшению падения напряжения на дуге. Одновременно с ростом температуры дуги увеличивается теплоотдача в окружающую среду. Таким образом, продвижение дуги к • противоположному электроду связано с изменением ее энергетического баланса. Возможность дальнейшего существования и продвижения или погасания дуги будет определяться теперь энергетическими процессами в системе «частичная дуга — проводящий слой», но уже при параметрах этой системы, отличных от первоначальных.](/static/pngbig/539544958.png)