В табл. 50 ориентация моделей кристаллов соответствует рис. 63. Когда два пластинчатых кристалла перпендикулярны направлению электрического поля, их сближение должно быть весьма тесным, чтобы произошел обмен зарядами. Но если плоскости кристаллов параллельны направлению электрического поля, то перенос зарядов при напряженности 2 • 105 В/м происходит на расстояниях, сопоставимых с их размерами (конфигурации ВВ и СС). То же самое справедливо и для моделей типа Ь. Вообще, чем больше кривизна частиц, тем больше критическое расстояние, на котором происходит перенос зарядов: случаи, в которых участвуют конфигурации С и И, характеризуются большими значениями лгкр, чем любые другие конфигурации, кроме ВВ.
Скачать страницу
[Выходные данные]
