На рис. 34 представлена схема строения двойного электрического слоя по теории Штерна, которая наиболее полно удовлетворяет экспериментальным данным. На схеме положительные ионы, входящие в состав твердой фазы, образуют внутреннюю обкладку двойного слоя и являются потенциалопределяю-щими. Отрицательные ионы (противоионы) составляют внешнюю обкладку, состоящую из двух частей: плотной — вблизи поверхности (слой Штерна толщиной 6) и размытой, находящейся в состоянии теплового движения (диффузный слой). Полное падение потенциала в двойном слое ф0 складывается из падения потенциала в штерновском (фб) и диффузном слоях (ф ).
Скачать страницу
[Выходные данные]
