Метод инжекции носителей применяется в полупроводниковых лазерах (например, СаАя) путем «впрыскивания» носителей тока через -»-переход извне в зону проводимости. За счет инжекции электронов в зону проводимости, а дырок в верхний слой валентной зоны нарушается тепловое равновесие и создаются условия для инверсной населенности.
Скачать страницу
[Выходные данные]
