Корпускулярная накачка использует высокоэнергетичные электронные или нейтронные потоки. Непосредственная бомбардировка электронным потоком кристалла применяется в полупроводниковых лазерах (рис. 9.10). Энергия электронов при бомбардировке кристалла перераспределяется между электроном в зоне проводимости, дыркой валентной зоны и первичным электроном. Кинетическая энергия первичных электронов (ли>2/2) должна превышать ширину запретной зоны АЕ примерно в три раза.
Скачать страницу
[Выходные данные]
