В полупроводниковых лазерах активным веществом является полупроводниковый кристалл размером около 1 мм3. Резонатор лазера образован торцевыми поверхностями кристалла. Возбуждение лазера осуществляется электрическим током, проходящим через кристалл. Максимальная мощность составляет около 100 Вт в импульсном режиме и несколько ватт в непрерывном. Вследствие малых размеров резонатора угол расходимости луча равен нескольким градусам.
Скачать страницу
[Выходные данные]
